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常見的半導(dǎo)體制造工藝匯總

?半導(dǎo)體制造是指通過一系列復(fù)雜的步驟在晶圓上加工成為一個個完整的可以實現(xiàn)特定功能的芯片的過程。不同的芯片產(chǎn)品所涉及到的工藝也有不同，那么我們就系統(tǒng)地介紹下半導(dǎo)體制造中可能涉及到的所有的半導(dǎo)體工藝。

半導(dǎo)體制造與封裝的界限是什么？

半導(dǎo)體制造與封裝的目的不同，半導(dǎo)體制造（Front-end）的目標(biāo)是產(chǎn)生具有復(fù)雜電路圖案的裸晶圓，需要在高度控制的潔凈室環(huán)境中進(jìn)行，以防止塵埃影響微小的電路結(jié)構(gòu)。而封裝（Back-End of Line）的目標(biāo)則是保護(hù)裸芯片，增強(qiáng)芯片的物理強(qiáng)度和環(huán)境耐受性等。一般以晶圓減薄作為制造與封裝的分界點，減薄后的晶圓由晶圓廠出貨給封裝廠，那么半導(dǎo)體制造端的工藝結(jié)束。

不同芯片產(chǎn)品有哪些工藝差異？

芯片是一個很寬泛的概念，是一個大類，因此細(xì)分為很多種類。一般可以分為邏輯芯片（CPU，GPU等），存儲芯片（DRAM、NAND ，F(xiàn)lash等），模擬和混合信號芯片，功率器件，射頻芯片，傳感器芯片等。

不同類型的芯片產(chǎn)品根據(jù)其應(yīng)用和功能需求，采用不同的設(shè)計原理、制程標(biāo)準(zhǔn)和材料選擇都不同。比如我們常說的5nm，7nm先進(jìn)芯片制程通常是用在邏輯芯片中，而對于射頻芯片領(lǐng)域的SAW，BAW等則不以線寬作為考量因素。又比如存儲芯片以12寸為主，但是第三代半導(dǎo)體由于SiC基板的限制，普遍采用的是4，6寸。

半導(dǎo)體制造工藝分類？

光刻

包括涂膠，曝光，顯影，烘烤等工藝。

干法

鍍膜：包括PVD(物理氣相沉積)，CVD（化學(xué)氣相沉積），ALD（原子層沉積）。PVD又包括蒸發(fā)（Evaporation），濺射（Sputtering），脈沖激光沉積（PLD）等，CVD包括等離子體增強(qiáng)CVD（PECVD）,低壓CVD（LPCVD）,金屬有機(jī)CVD（MOCVD）,MPCVD，Laser CVD，APCVD，HT-CVD，UHV CVD等

干法刻蝕：干法刻蝕分為物理刻蝕，化學(xué)刻蝕，物理化學(xué)刻蝕。物理刻蝕包括離子束刻蝕（IBE）等，化學(xué)刻蝕包括等離子去膠機(jī)等，物理化學(xué)刻蝕包括ICP-RIE,CCP-RIE,ECR-RIE,DRIE等。

外延：分為液相外延（LPE），氣相外延（VPE），分子束外延（MBE），化學(xué)束外延（CBE）等。

離子注入：包括高能離子注入，低能離子注入，高劑量離子注入，高通量離子注入，高質(zhì)量分子離子注入（High Mass Molecular Ion Implantation）等。

擴(kuò)散：氣體源擴(kuò)散，液體源擴(kuò)散，固體源擴(kuò)散，預(yù)沉積擴(kuò)散等

退火：爐管退火，快速熱退火，激光退火，等離子體退火等

濕法

濕法分為濕法刻蝕，清洗，電鍍，化學(xué)鍍，cmp等

常見的半導(dǎo)體工藝就是這些，可以閱讀我的其他文章，深入了解！